光刻膠與紫外線的關系

紫外光深入參與了半導體制造過程中光刻膠的曝光步驟。曝光工藝是將光刻膠曝光并將設計的圖案轉移到基板上的重要步驟。紫外線改變光刻膠的分子結構并改變曝光區域的溶解度，形成電路圖案。用于曝光的紫外線有多種波長，但常用的是以下類型：

i 線 (365 nm)：當不需要非常精細的圖案時使用。

KrF 線 (248 nm)：適合需要高分辨率的情況。

ArF 線 (193 nm)：需要更高分辨率時使用。

極紫外光（13.5 納米）：采用jian端微加工技術，實現ji高的分辨率

紫外線的波長越短，可以形成的圖案分辨率越高。